- Oggetto:
- Oggetto:
Materiali per l'elettronica con laboratorio Modulo B
- Oggetto:
Materials for electronics with laboratory Part B
- Oggetto:
Anno accademico 2017/2018
- Codice dell'attività didattica
- CHI0025/B
- Docente
- Prof. Ettore Vittone
- Insegnamento integrato
- Corso di studi
- Scienza e Tecnologia dei Materiali-Indirizzo Industriale
- Anno
- 3° anno
- Tipologia
- Affine o integrativo
- Crediti/Valenza
- 6
- SSD dell'attività didattica
- FIS/01 - fisica sperimentale
- Modalità di erogazione
- Tradizionale
- Lingua di insegnamento
- Italiano
- Modalità di frequenza
- Frequenza alle lezioni facoltativa. Frequenza al laboratorio obbligatoria
- Tipologia d'esame
- Orale e relazione laboratorio
- Prerequisiti
-
Matematica, Fisica Generale I e II, Chimica Fisica II, Metodologie di Caratterizzazione dei Materiali, Materiali per l'elettronica Modulo A
Mathematics, General Physics I and II, Physical-Chemistry II, Methods for material characterization, Materials for Electronics Part A - Oggetto:
Sommario insegnamento
- Oggetto:
Obiettivi formativi
Saper individuare le principali caratteristiche fisiche dei materiali semiconduttori e le relative tecniche sperimentali per la loro caratterizzazione.
Ability to identify and manage the main features of semiconductor materials and the relevant experimental techniques for their characterization.
- Oggetto:
Risultati dell'apprendimento attesi
Conoscenza e capacità di comprensione:
- Conoscenza adeguata delle nozioni fondamentali per la comprensione dei fenomeni fisici alla base di alcune tecniche delle più diffuse tecniche sperimentali per la caratterizzazione di materiali e dispositivi a semiconduttore.
Capacità di applicare conoscenza e comprensione:
- capacità di applicare la conoscenza dei modelli fondamentali della Fisica dei Semiconduttori per comprendere le principali caratteristiche dei dispositivi elettronici e sensori a semiconduttore.
- capacità di effettuare misure di laboratorio con l'utilizzo di strumentazione moderna seguendo un adeguato protocollo sperimentale volto alla caratterizzazione dei materiali per l'elettronica.
- capacità di interpretare i dati sperimentali attraverso una corretta trattazione statistica;
- capacità di redigere un resoconto scientifico in modo chiaro utilizzando una notazione scientifica corretta.
Knowledge and understanding:
- knowledge of the basic concepts regarding the properties of materials and basic semiconductor devices
- understanding of the functionalities of laboratory equipment and of relevant experimental techniques for the electronic characterization of materials and basic devices.
Applying knowledge and understanding:
- ability to understand and manage fundamental physical models of semiconductor physics to interpret the physical properties of semiconductor materials and devices.
- ability to evaluate the order of magnitude of the physical observables, to perform basic calculations and to solve simple problems relevant the properties of materials;
- ability to take experimental measurements, using modern instrumentation and adopting a suitable experimental protocol to characterize materials for electronics;
- ability to interpret the experimental data using a correct statistical data analysis;
- ability to write a clear scientific report, using correct scientific terminology
- Oggetto:
Modalità di insegnamento
4.5 CFU (36 h) di lezioni frontali con esercitazioni in aula.
1.5 CFU (24 h) di attività in laboratorio e lezioni propedeutiche
Frequenza
La frequenza alle lezioni non è obbligatoria.
La frequenza ai corsi di laboratorio è obbligatoria e non può essere inferiore al 70% delle ore previste.
4.5 CFU (36 h) lectures with classroom exercises
1.5 CFU (24 h) laboratory activities
The participation to the frontal lectures is not compulsory.
The participation to the ithe laboratory is mandatory for at least 70% of the time devoted to laboratory activities
- Oggetto:
Modalità di verifica dell'apprendimento
- Oggetto:
Programma
- Elementi di Fisica dei semiconduttori: teoria delle bande, elettroni e lacune nei semiconduttori.
- Drogaggio; metodi di sintesi di semiconduttori omogenei intrinseci e drogati
- Statistica dei portatori di carica. Significato fisico dei diagrammi a bande.
- Semiconduttori in condizioni di non equilibrio
- Trasporto di elettroni e lacune. Conducibilità, resistività, legge di Ohm. Fotoconducibilità, sensori di luce sensori di campo magnetico.
- Giunzioni p-n: Elettrostatica, caratteristiche capacità/tensione e corrente/tensione teoria del diodo ideale e reale.
- Diodi emettitori di luce. Principi di funzionamento di transistori bipolare a giunzione e transistori ad effetto di campo.
- Elementi di tecnologia dei dispositivi a semiconduttore.
Le attività di laboratorio verteranno sulla caratterizzazione opto-elettronica di materiali e dispositivi a semiconduttore:
- Elements of Semiconductor Physics: band theory, electrons and holes in semiconducting materials.
- Doping; synthesis methods of homogeneous intrinsic and doped semiconductor
- Charge carrier statistical distribution law. Physical meaning of the band diagrams.
- Semiconductors in non-equilibrium conditions.
- Transport of electrons and holes. Conductivity, resistivity and Ohm's law. Photoconductivity, light and magnetic field sensors.
- P-n junctions: Electrostatics, capacitance/voltage and current/voltage characteristics, theory of the ideal and real diode.
- Light emitting diodes. Principles of BJT, JFET and FET.
- Elements of technology for microelectronics.
The activities in the laboratory regard the optoelectronic characterization of semiconductor materials and devices.
- Transmittance and photoconductivity measurements for the determination of the energy gap of a semiconductor.
- Electronic characterization of homogeneous and/or heterogeneous semiconductors.
- Electrical and optical characterization of light emitting diodes.
References
Topics
Lesson I 12 March 2018
Aula 19 - via Quarello
h. 09.00-11.00- [1] Chapter 7
- Notes
- [4] Chapter 3.4
Introduction to Band theory; the Bloch's theorem Lesson II 14 March 2018
Aula 19 - via Quarello
- h. 11.00-13.00
- [1] Chapter 7
- Notes
- Slides
The Kronig Penney Model Lesson III 15 March 2018
Aula 19 - via Quarello
h. 11.00-13.00- [1] Chapter 7
- Slides
- [2] Chapter 1
The effective mass; the concept of hole; insulator, semiconductos, conductors Lesson IV 16 March 2018
Aula D1 - via P. Giuria
h. 11.00-13.00- [1] Chapter 7
- Slides
- [2] Chapter 1
Introduction to semiconductor physics; semiconductor materials: Si, GaAs Direct and indirect band gap semiconductor Valence and Conduction Band; the energy-momentum diagram; Effective mass, Lesson V 19 March 2018
Aula Diagonale
h. 11.00-13.00- [2] Chapter 2
Donors and Acceptors; non degenerate semiconductors; charge neutrality Lesson VI 20 March 2018
Aula 14 - via Quarello
h. 11.00-13.00- [2] Chapter 3
Band diagrams; transport phenomena: drift. Carrier Mobility. Conductivity, Resistivity, Ohm law. Lesson VII 22 March 2018
Aula 12 - via Quarello
h. 09.00-11.00- [2] Chapter 3
- Notes
Carrier Diffusion; Einstein Relation; Current density equations. Quasi fermi levels. Lesson VIII 23 March 2018
Aula 12 - via Quarello
h. 09.00-11.00- [2] Chapter 3
Generation recombination processes. Direct recombination.
Lesson IX 26 March 2018
Aula Diagonale
h. 09.00-11.00- [2] Chapter 3
Indirect recombination and the Shockley-Reed-Hall mode Lesson X 28 March 2018
Aula Diagonale
h. 11.00-13.00- [2] Chapter 3
The continuity equation Steady state injection from one side
Lesson XI 04 April 2018
Aula Diagonale
h. 09.00-11.00- [2] Chapter 3
Minority carriers at the surface The Haynes-Shockley experiment
Lesson XII 04 April 2018
Auletta II
h. 15.00-17.00- [2] Chapter4
p-n junction Lesson XIII 05 April 2018
Auletta I
h. 11.00-13.00
- [2] Chapter 4
Thermal equilibrium conditions Lesson XIV 09 April 2018
Aula Avogadro
h. 14.00-16.00
[2] Chapter 4Depletion region: abrupt junction Depletion capacitance; capacitance-Voltage characteristics
Evaluation of impurity distribution
Lesson XV 10 April 2018
Aula Diagonale
h. 14.00-16.00
[2] Chapter 4Current voltage characteristics; Ideal characteristics Lesson XVI 11 April 2018
Aula Diagonale
h. 14.00-16.00
[2] Chapter 4Non ideal characteristics: generation-recombination (hints)
Introduction to laboratory activities:
Lesson XVII 12 April 2018
Aula Diagonale
h. 14.00-16.00
NotesIntroduction to laboratory activities: Lesson XVIII 13 April 2018
Aula D1
h. 09.00-11.00
NotesIntroduction to laboratory activities: - The Hall effect : notes for the laboratory activities
- Energy gap of a semiconducttor through Photoconductivity and transmission measurements.
Testi consigliati e bibliografia
- Oggetto:
[1] Introduzione alla Fisica dello Stato Solido
Autore: Charles Kittel
Casa editrice: Casa Editrice Ambrosiana
ISBN: 978-88-08-18362-0
Disponibile presso la "Piccola Biblioteca di via Quarello"[2] Dispositivi a semiconduttore
Autore: S.M. Sze
Casa editrice: Hoepli
Disponibile presso la "Piccola Biblioteca di via Quarello"oppure l'edizione inglese:
[2] Semiconductor Devices
Autore: S.M. Sze
Edizione: 2002
Casa editrice: John Wiley & Sons
ISBN: 0471333727
[3] Principi di fisica dei semiconduttori
Autore: Mario GuzziEdizione: Milano 2004
Casa editrice: Hoepli
ISBN: 8820333813
Url: http://unito-opac.cineca.it/SebinaOpac/Opac?action=search&Isbn=8820333813[4] Fisica e tecnologia dei dispositivi a semiconduttore edizione italiana ampliata a cura di Paolo Antognetti.
Autore: Andrew S. Grove
Edizione: 4a edizione
Casa editrice: Franco Angeli
ISBN: 8820402531[5] *Semiconduttori : proprieta e applicazioni elettroniche"
Autori: Andrea Frova, Paolo Perfetti
Roma : Libreria Eredi V. Veschi, 1977
ISBN: 9788841336168- Oggetto: